机译:HfOx,CeOx及其界面中的氧空位迁移的第一性原理模拟,用于电阻式随机存取存储器
Univ Texas Austin, Mat Sci & Engn Program, 1 Univ Stn, Austin, TX 78712 USA;
Univ Texas Austin, Microelect Res Ctr, Austin, TX 78758 USA;
Univ Texas Austin, Microelect Res Ctr, Austin, TX 78758 USA;
Univ Texas Austin, Microelect Res Ctr, Austin, TX 78758 USA;
Univ Texas Austin, Microelect Res Ctr, Austin, TX 78758 USA;
Resistive random-access memory (RRAM); Amorphous oxides; Density functional theory (DFT); Molecular dynamics (MD); Vacancy; Diffusion; Migration;
机译:Ti / HfO
机译:Ti / HfO_x / Pt存储设备中两个接口中与氧空位迁移有关的电阻切换机制
机译:HfOx中氧气扩散的第一性原理模拟:在电阻切换机制中的作用
机译:氧气空位相互作用的第一原理研究及其对镧锶铁氧体氧气空位形成和迁移的影响
机译:用于存储器的电阻开关的实验和仿真研究。
机译:面向应用的电阻式随机存取存储器的多尺度建模
机译:基于HFOX基电阻随机接入存储器中的多电阻切换模式的分析与仿真使用Memdiode