机译:不同横截面形状的量子线的能隙重正化和抗磁化率
Nanjing Normal Univ, Sch Math Sci, Inst Math, Nanjing 210023, Jiangsu, Peoples R China;
Univ Yasuj, Coll Sci, Dept Phys, Yasuj, Iran;
Islamic Azad Univ, Marvdasht Branch, Dept Opt & Laser Engn, Marvdasht, Iran;
Univ Yasuj, Dept Math, Coll Sci, Yasuj, Iran;
Quantum wires; Energy gap; Binding energy; Cross section;
机译:电子-声子相互作用对量子线的能级和抗磁化率的影响:平行四边形和三角形截面
机译:位于圆柱纳米线中心的球形量子点中中心氢供体杂质的结合能和抗磁化率
机译:介电屏蔽对量子阱线中施主的结合能和抗磁化率的影响
机译:调制掺杂的GaAs / AlxGa1-xAs V槽量子线中的带隙重归一化
机译:在IV组半导体合金和量子线结构中寻找直接带隙。
机译:通过结合噪声的能量相互作用来调谐掺杂杂质的量子点的抗磁化率
机译:通过噪声结合能量相互作用调节杂质掺杂量子点的抗磁敏感性