机译:导电桥接RRAM中渐进式和突然式复位的数值分析
Natl Chiao Tung Univ, Dept Elect Engn, Hsinchu 300, Taiwan|Natl Chiao Tung Univ, Inst Elect, Hsinchu 300, Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ, Dept Elect Engn, Hsinchu 300, Taiwan|Natl Chiao Tung Univ, Inst Elect, Hsinchu 300, Taiwan;
Insulator metal transition; Hafnium oxide; Cu; Nonvolatile memory (NVM); Conductive bridging resistive switching memory (CBRAM);
机译:对RRAM中渐进式复位过渡的全面分析
机译:低退化导电桥电阻存储器件的数值分析和实验证明
机译:斜拉桥墩发生船舶碰撞的非线性数值分析与渐进性损伤评估
机译:导电桥接设备中的渐进式与突然式复位行为:C-AFM层析成像研究
机译:基于可靠性的桥梁系统渐进倒塌和冗余分析。
机译:基于HfO2的RRAM的渐进式单极RESET过渡中的电压和功率控制机制
机译:基于HFO2的RRAM的逐步单极重置转换中的电压和功率控制的制度