...
机译:(Fe,/ Zr,Ti /-V / sub O // sup spl middot // sup spl middot /)/ sup spl middot /(La,Fe)掺杂PZT 52.5 / 47.5压电陶瓷中的缺陷偶极子的表征多频电子顺磁共振光谱法
机译:930-V 170-m / spl Omega // spl middot / cm / sup 2 /横向二区RESURF MOSFET,采用4H-SiC,无退火
机译:1330 V,67 m / splΩ// spl middot / cm / sup 2 / 4H-SiC(0001)RESURF MOSFET
机译:Y / sub 2 / BaCuO / sub 5 /和PtO / sub 2 // spl middot / H / sub 2 / O添加对YBa / sub 2 / Cu / sub 3 / O / sub 7- /中微结构发展的影响SPLΔ//超导体
机译:无铅(Bi / sub 1/2 / Na / sub 1/2 /)TiO / sub 3 / -KNbO / sub 3 / -1 / 2(Bi / sub 2 / O / sub 3 / / spl middot / Sc / sub 2 / O / sub 3 /)陶瓷
机译:利用电子顺磁共振和光电子顺磁共振研究半绝缘4H-SiC中的缺陷能级
机译:开*(E(spL)d)在果蝇底层m8的发散视网膜和刷毛的缺陷的机制
机译:ZrO 2 sub>·CaO-熔融Ag,Pb,Fe和固体Pt-molten pbo-Geo 2 sub>,Pbo-siO 2上的直流偏振 sub>,na 2 sub> o-sio 2 sub>
机译:通过扫描发光(spL),扫描光电流(spC)和阴极发光(CL)表征半绝缘Inp晶片。晶圆同质性研究