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机译:Czochralski方法生长的压电La / sub 3 / Ta / sub 0.5 / Ga / sub 5.5 / O / sub 14 /晶体的X射线形貌
机译:镧铁矿型压电单晶的直拉晶体生长和表征:La_3Ga_5SiO_(14)(LGS),La_3Ga_(5.5)Nb_(0.5)O_(14)(LGN)和La_3Ga_(5.5)Ta_(0.5)O_(14)(LGT) )Ⅱ。压电和弹性
机译:生长气氛和铱污染对浮区和切克劳斯基方法生长的La {sub} 3Ta {sub} 0.5Ga {sub} 5.5O {sub} 14单晶电性能的影响
机译:生长气氛和铱污染对浮区和切克劳斯基方法生长的La3 sub> Ta0.5 sub> Ga5.5 sub> O14 sub>单晶电学性能的影响
机译:LA
机译:La 3Ga5SiO14(LGS)和La3Ga5.5Ta 0.5O14(LGT)单晶的三阶弹性常数的测量。
机译:La3Ta0.5Ga5.3Al0.2O14单晶的导电机理
机译:铝取代La3Ta0.5ga5.5014单晶的阳离子分布和压电性能
机译:Czochralski法生长晶体温度分布的模拟