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机译:在晶界附近存在去极化场的情况下,多晶M / PZT / M电容器中极化的高度保留
Ioffe Physicotechnical Institute of the Russian Academy of Sciences, Solid State Electronics Division, St. Petersburg, Russian Federation;
机译:多晶金属/ Pb(ZrTi)O_3 /金属电容器中极化和去极化场的高度保留
机译:由于晶界附近空间电荷的积累而引起的随机去极化场的弛豫导致极化铁电陶瓷的老化
机译:PZT薄膜电容器中去极化效应,界面层和疲劳行为之间的相互作用
机译:由于去极化场的不对称屏蔽,铁电晶界处的势垒
机译:铁电/电极接口:非易失性存储器中PZT电容器的极化切换和可靠性
机译:合成面心立方3D多晶微结构单向拉伸变形下晶粒细微结构描述符和晶粒平均应力场的数据集
机译:随机放松引起的极化铁电陶瓷老化 晶界附近的空间电荷累积的去极化场
机译:薄膜pZT电容器的疲劳和快速去极化方面