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机译:电介质定义的过程,用于形成T栅场效应晶体管
机译:LP-MOCVD生长的新型自对准T栅InGaP / GaAs场效应晶体管
机译:采用0.1μmT栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的18-31 GHz GaN宽带低噪声放大器(LNA)
机译:用于制造深亚微米(<0.35μm)T栅极伪晶型高电子迁移率晶体管结构的新型低温软回流工艺
机译:栅极长度减小的自对准T栅极异质结构场效应晶体管的新工艺
机译:合成的WSE2场效应晶体管和陡峭晶体管的过程
机译:固溶处理的大面积二维晶体于场效应晶体管和光电晶体管的有机半导体的研究
机译:晶体管:界面微观结构对溶液加工共轭聚合物场效应晶体管电荷载流子的影响(ADV。Mater。11/2016)
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)