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机译:基于横向p-n结的光电器件,该器件通过在图案化(311)A取向的衬底上掺杂硅的GaAs进行分子束外延生长制成
机译:基于横向p-n结的光电器件,其通过在图案化(311)A取向的衬底上掺杂硅的GaAs进行分子束外延生长而制得
机译:基于光电器件的在高折射率衬底上制造的横向p-n结
机译:基于光电器件的在高折射率衬底上制造的横向p-n结
机译:通过分子束外延在GaAs(311)面向A的基材上产生的横向结光电探测器
机译:在红外光电器件应用的稀氮化物半导体的分子束外延生长过程中,等离子体种类的影响。
机译:使用分子层外延制造侧壁GaAs隧道结
机译:通过分子束外延在图案化的GaAs(311)A衬底上形成稳定的非平面表面
机译:利用分子束外延制作量子阱器件。