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机译:400-600 V 4H-SIC横向MOSFET的设计和制造方法,用于弹电功率ICS应用
College of Nanoscale Science and Engineering State University of New York Polytechnic Institute Albany NY USA;
College of Nanoscale Science and Engineering State University of New York Polytechnic Institute Albany NY USA;
MOSFET; Layout; Silicon carbide; Logic gates; Integrated circuits; Fabrication; Silicon;
机译:用于电源IC应用的600 V,10 A,4H-SiC横向单RESURF MOSFET的演示和分析
机译:用于电力ICS应用的600 V,10 A,4h-SiC横向单Resurf MOSFER的演示和分析
机译:用于电源转换器应用的区域高效,600V 4H-SIC JBS二极管集成MOSFET(JBSFET)
机译:用于苛刻环境应用的温度范围为25至600°C的横向4H-SIC MOSFET的电气表征
机译:用于功率开关应用的碳化硅高性能UMOSFET的建模,设计和制造
机译:设计制造和封装用于光遗传学应用的集成无线供电光极阵列
机译:在4H-SiC(0001),(1120)和6H-SiC(0001)上的RESURF MOSFET的设计和制造