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机译:浅结形成:基于自旋掺杂技术的热扩散模拟研究
机译:浅结形成:基于自旋掺杂技术的热扩散模拟研究
机译:低于50 nm的硅金属氧化物半导体器件通过自旋掺杂剂中砷的固相扩散,在绝缘体上硅上形成超浅且突变的n〜+ -p结
机译:扩展的“五流”模型,用于在VLSI电路中超浅结形成过程中扩散注入的硅中的掺杂剂
机译:VLSI电路超浅结形成期间硅涂层掺杂剂植入掺杂剂扩散的扩展了“五流”模型
机译:带有旋涂掺杂剂的微米和纳米柱上浅p-n结的形成,用于太阳能电池。
机译:Li2Ti6O13中的缺陷扩散和掺杂:原子模拟研究
机译:基于BIm的面向对象物理建模技术在建筑热模拟中的性能评估:比较案例研究
机译:离子注入技术同时形成浅硅p-n结和浅硅化物 - 硅欧姆接触。