...
机译:用于沉积III-V外延层的硅表面结构化方法
机译:用于沉积III-V外延层的硅表面结构化方法
机译:通过层逐层沉积和外延生长方法构建分层Fe3O4 @ HKust-1 / MIL-100(Fe)微粒的微粒
机译:使用外延层的转移印刷在硅上进行III-V族激光器的晶圆级集成
机译:通过激光蒸发在各向异性蚀刻硅表面上沉积HGCDTE外延层
机译:通过金属有机化学气相沉积外延生长碳化硅和氮化铝的层状结构。
机译:调整用于外延生长的高质量种子的多孔硅层的应变和表面粗糙度
机译:将高度均匀的Al 2 O 3薄膜的种子层的原子层沉积在碳化硅上的单层外延石墨烯上
机译:III-V层结构外延生长技术的比较