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机译:n-GaAs的低电阻欧姆接触,用于GaAs / AlGaAs量子级联激光器
机译:n-GaAs的低电阻欧姆接触,用于GaAs / AlGaAs量子级联激光器
机译:室温AlGaAs / GaAs量子级联激光器(QCL)的欧姆接触
机译:仅使用正面处理即可将N型欧姆接触应用于未掺杂的GaAs / AlGaAs量子阱:应用于双极性FET
机译:与n-GaAs的多层低电阻Ge / Au / Ni / Ti / Au基欧姆接触
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:仅使用正面处理即可将N型欧姆接触用于未掺杂的GaAs / AlGaAs量子阱:应用于双极性FET