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Indium phosphide amplifier sets speed record

机译:磷化铟放大器创造速度记录

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摘要

Redondo Beach, CA—Working as a team, engineers from TRW Electronic Space and Technology Div. and JPL Microwave (Pasadena, CA) recently fabricated and tested a low-noise amplifier chip that delivers 12.5-dB gain at 155 GHz. Described at the Indium Phosphide & Related Materials conference held in Massachusetts recently, the device is reportedly the highest frequency solid-state amplifier ever demonstrated.
机译:加利福尼亚州雷东多比奇(Redondo Beach),TRW电子空间与技术部的工程师作为团队工作。和JPL Microwave(加利福尼亚州帕萨迪纳)最近制造并测试了一种低噪声放大器芯片,该芯片在155 GHz时可提供12.5 dB的增益。最近在马萨诸塞州举行的铟磷及相关材料会议上对其进行了描述,据报道该器件是有史以来最高频率的固态放大器。

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