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机译:通过MOCVD制备基于HTS的堆叠结构:c轴和非c轴BiSrCaCuO / Bi / sub 4 / Ti / sub 3 / O / sub 12 /异质结构的生长问题
MOCVD; bismuth compounds; calcium compounds; chemical interdiffusion; copper compounds; crystal morphology; high-temperature superconductors; interface structure; strontium compounds; superconducting epitaxial layers; titanium compounds; BSCCO; BiSrCaCuO-Bi/sub 4/Ti;
机译:Bi_4Ti_3O_(12)单斜晶体的铁电畴结构和c轴极化转换
机译:硅上溶胶-凝胶法合成c轴取向Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及其微观结构
机译:非c轴取向Bi-2223超导薄膜的MOCVD生长和AFM观察
机译:C轴和非C轴的铁电性能表征,其外延生长层结构的铁电薄膜用MOCVD制备的不同M号
机译:MOCVD生长氮化镓和制造氮化铝镓/氮化镓双异质结构LED。
机译:在高度c轴取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜中具有超低应变滞后的大压电应变并且在非晶玻璃基板上呈柱状生长
机译:使用Bi的MoCVD制备Bi 4 sub> Ti 3 sum> O 12 sum>薄膜 - 通过MOCVD取向( O i> -c 7 sub> h 7 sub>) 3 sub>