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机译:CS2AGBIBR6基存储器件中的可见光辐照改善电阻切换特性
Fengzhen Lv; Tingting Zhong; Yongfu Qin; Haijun Qin; Wenfeng Wang; Fuchi Liu; Wenjie Kong;
机译:基于混合NiOx / NiOy膜的电阻式开关存储器件的改进的单极电阻式开关特性
机译:Gd掺杂改善了基于TiO2的电阻存储器件的电阻开关特性(vol 47,pg 2710,2008)
机译:Gd掺杂改善了TiO_2基电阻存储器件的电阻开关特性
机译:过氧化氢表面氧化ZnO基透明电阻存储器件的电阻切换特性
机译:电阻式切换存储器和可重配置设备。
机译:使用ZnO薄膜的电阻式开关存储器件的可靠性特性和导电机理
机译:双端子开关元件,具有双向开关特性,电阻存储器交叉点阵列,包括制造双端子开关元件和交叉点电阻存储器阵列的方法
机译:具有双向开关特性,包括相同点的电阻性存储器交叉点阵列的两个端子开关元件以及制造两个端子开关元件和交叉点电阻性存储器阵列的方法
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