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Enhancement of Superconductivity by Amorphizing Molybdenum Silicide Films Using a Focused Ion Beam

机译:通过聚焦离子束使硅化钼薄膜非晶化来增强超导性

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摘要

We have used focused ion beam irradiation to progressively cause defects in annealed molybdenum silicide thin films. Without the treatment, the films are superconducting with critical temperature of about 1 K. We observe that both resistivity and critical temperature increase as the ion dose is increased. For resistivity, the increase is almost linear, whereas critical temperature changes abruptly at the smallest doses and then remains almost constant at 4 K. We believe that our results originate from amorphization of the polycrystalline molybdenum silicide films.
机译:我们已经使用聚焦离子束辐照来逐渐导致退火的硅化钼薄膜的缺陷。如果不进行处理,薄膜将在约1 K的临界温度下超导。我们观察到,随着离子剂量的增加,电阻率和临界温度均会增加。对于电阻率,其增加几乎是线性的,而临界温度在最小剂量下突然变化,然后在4 K时几乎保持恒定。我们相信,我们的结果源自多晶硅化钼薄膜的非晶化。

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