机译:室温多功能BATIO3-COFE2O4在Si(001)上的外部官能化合物的单片集成
机译:使用GaSb / GaP容纳层将高电子迁移率基于InAs的异质结构在精确(001)硅上进行单片集成
机译:Si(001)衬底上基于分子束外延的Si基发光Si /β-FeSi2薄膜/ Si双异质结构的外延生长和表征
机译:通过分子束外延在Si /β-Fesi {Sub} 2 / Si双异质结构中的发光表征和室温1.6μm电致发光
机译:多功能异质结构的外延生长和表征:集成铁磁体,铁电体,绝缘体和III-V半导体。
机译:使用单步HiPIMS工艺将Cu(001)薄膜外延生长到Si(001)上
机译:Si(001)上室温多功能BaTiO3-CoFe2O4外延异质结构的整体集成
机译:在Cosi2(001)/ si(001)上外延生长硅。