机译:氢等离子体表面处理和AlxOx保护环结构增强AZO / Si肖特基势垒二极管的电特性
Schottky barrier diodes hydrogen plasma guard ring atomic layer deposition rapid thermal annealing;
机译:通过结合保护环辅助场限制环和内部环来改善SiC肖特基势垒二极管的击穿电压特性
机译:具有P型III氮化物防护环的β-GA2O3肖特基势态镜头设计,用于增强击穿
机译:垂直GaN肖特基屏障二极管配有面积沉积的P-NIO保护环终端结构
机译:(NH4)2SX硫化技术使GaAs表面硫钝化增强Au / n-GaAs肖特基势垒二极管的电特性
机译:薄纳米晶金刚石基肖特基势垒二极管和其他两个端子结构的电性能。
机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
机译:SiC肖特基势垒二极管击穿特性金属防护环的影响
机译:界面结构对ptsi-si肖特基势垒接触电性能的影响。