基于PECVD法沉积氮氧化硅／氮化硅叠层背钝化膜的商用高效P型单晶硅太阳电池

摘要

提出了一种用于提高P型单晶硅太阳电池转换效率的新型生产工艺，使用PECVD法在硅片背面制作SiON／SiN钝化薄膜，可获得较好的背钝化效果，还可以作为背面反射器。该工艺易于同常规工艺进行整合，实施方便。目前，该工艺在潞安己实现工业化规模生产，平均效率超过19．8％。