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IGBT的Protel 99se简化模型及仿真

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摘要

本文提出一种简便的模拟绝缘栅双极性晶体管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)的方法,利用外部特性参数提取、换算模型参数,通过建立Protel 99SE中的数据库项,能够对任意新型号的IGBT进行仿真.文中给出一个实际器件的模拟结论,验证了方法的可行性.

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来源
《电力系统及其自动化学报》 |2003年第3期|80-82|共3页
作者
卢根锁;
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作者单位

山西师范大学,临汾,041004;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类基本电子电路;
关键词
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),Protel 99SE,简化模型仿真;

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