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杨冬平; 王莉; 江登宇;
南京航空航天大学自动化学院,南京,210016;
金属氧化物半导体场效应管; 降栅压; 固态功率控制器; 短路保护; 驱动电路;
机译:采用28 nm CMOS技术的LaOx封顶的高K /金属栅NMOSFET中的平坦带滚降行为的建模和表征
机译:浮栅技术在研究因热载流子老化而引起的n-MOSFET栅极电流演变中的应用
机译:使用STripFET III技术的MOSFET的导通电阻和开关损耗降低技术-引入具有低导通电阻和低Qg特性的平面MOSFET,其损耗超过沟槽栅MOSFET的损耗
机译:氧化镧覆盖层在采用28nm CMOS技术的高κ/金属栅NMOSFET中引起平带滚降行为
机译:用于功率适应性应用的背栅MOSFET。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:通过3D TCAD仿真研究了基于连接的单栅SOI MOSFET的连接型单栅SOI MOSFET的SEU敏感性
机译:利用数据驱动和基于模型的方法在热应力加速老化下预测功率mosfets。
机译:空压驱动系统,空压驱动方法,轴承应用和电机在空压驱动中的应用
机译:使用背栅MOSFET器件的阈值电压滚降补偿可实现系统高性能和低待机功耗
机译:使用背栅mosfet器件的阈值电压滚降补偿可实现系统高性能和低待机功耗
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