二元金属氧化物阻变存储器的专利技术发展综述

摘要

阻变式存储器（resistive random access memory，RRAM）是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器。其存储材料层以二元金属氧化物最具有显著优势。它组分简单，工艺上同于控制，并且和CMOS工艺具有良好的兼容性。本文从专利文献作为切入口，对基于二元金属氧化物阻变存储器的技术发展进行了统计分。