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杜泽霖; 周洁敏; 洪峰; 李嘉琪;
南京航空航天大学 民航学院 江苏南京 211106;
南京航空航天大学 电子信息工程学院 江苏南京 211106;
固态功率控制器; 碳化硅; 寄生电感; 吸收电路;
机译:使用-5 V的栅极关断电压抑制100 kHz栅极开关操作下的SiC-MOSFET的PBTI
机译:抑制桥电路中负电压尖峰的SiC MOSFET栅极驱动器
机译:具有电压尖峰限制和效率提高的PFC转换器的实时可变关断电流策略
机译:一种用于抑制高速SiC MOSFET应用中的关断过电压和振荡的改进的直流侧缓冲器的研究
机译:使用低电压(LV)和高压(HV)碳化物(SIC)器件,实现高效率中电压转换器和用于高速驱动器和其他网格应用,以及高压(HV)碳化硅(SIC)器件
机译:低关断损耗的4H-SiC沟槽绝缘栅双极晶体管的仿真研究
机译:基于数字控制的SiC固态断路器,具有用于直流电力系统的软关断方法
机译:用于高级脉冲功率应用的20 kV,2 cm2,4H-sIC栅极关断晶闸管
机译:碳化硅(SiC)栅极关断(GTO)晶闸管结构,在关断状态下具有更高的关断增益和更大的电压阻断
机译:具有用于固态功率控制器的内置测试功能的瞬态电压抑制器
机译:具有内置测试功能的共享瞬态电压抑制器,适用于固态功率控制器
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