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唐本奇; 高玉民;
西安交通大学;
功率晶体管; 横向功率器件; 结终端保护技术;
机译:高压功率器件(IGBT)多区结终端延伸的优化设计
机译:平面结终端中局部电场的变化对功率半导体器件工作的影响
机译:4H–SiC功率器件反向掺杂结终端扩展的实验研究
机译:发射器效率的横向变化提高了功率器件结终端的鲁棒性
机译:超薄绝缘体上硅横向功率器件的物理和技术。
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:使用深沟槽的超结功率器件的改进的结终端设计
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:生产用于功率半导体器件的结终端的方法和相应的功率半导体器件
机译:高功率半导体器件及相关半导体器件的结端接扩展边缘终端的形成方法
机译:横向超结功率半导体器件
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