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胡庆彬; 卢元元;
深圳大学;
仿真; 瞬态特性; 功率二极管; 反向恢复;
机译:具有内置沟道二极管以增强反向恢复性能的功率MOSFET的仿真研究
机译:用于SPICE仿真的功率二极管反向恢复时间的计算
机译:检测功率二极管的反向恢复特性
机译:PIN二极管反向恢复特性的仿真研究
机译:高功率发光二极管和激光二极管的全面电/光/热特性
机译:具有超越1D限制的RSP-BV折衷和卓越的反向恢复特性的新型功率MOSFET
机译:对功率二极管的温度相关反向恢复行为进行建模
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性
机译:二极管的反向恢复仿真电路
机译:用于抑制电压波动而不会产生不利影响的半导体组件结构采用了具有PN过渡,高转换电压和快速反向恢复特性的二极管。
机译:具有高耐用性和低电阻的低电压双阱MOS器件,改善了主要二极管的反向恢复特性
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