硅-硅直接键合制造静电感应器件

摘要

静电感应器件(Static Induction Device,SID)栅源击穿电压VGK不高一直是该类器件研制中存在的一个问题.用SI/SI键合技术代替高阻厚外延工艺,制造出一种不同于外延掩埋栅结构的掩埋栅结构--键合掩埋栅结构,从制造工艺和器件结构上提高了VGKo通过SITH器件的研制,证明了键合掩埋栅结构能够提高VGK和整个器件的电学性能.