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基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法

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摘要

介绍了一种基于检测功率MOSFET导通压降实现短路保护的方法.该方法利用功率MOSFET自身导通电阻产生的导通压降,来得到保护控制信号,实现对功率MOSFET的保护.经实验及工程应用验证,该方法具有保护动作速度快,电路结构简单、可靠的特点.

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来源
《电力电子技术》 |2009年第8期|77-78|共2页
作者
王文兵;
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作者单位

合肥工业大学,安徽,合肥,230088;

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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
场效应晶体管; 短路保护/导通压降;

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