基于LCL谐振变换结构的RSD重频系统充电技术

摘要

全固态半导体开关,即反向开关晶体管(RSD)因其具有全面积、纳秒至微秒级导通等特有的性质,在脉冲功率领域有着良好的应用前景.研究了RSD脉冲功率系统主储能电容的恒流充电技术.利用交流小信号分析法对基于LCL谐振变换结构的充电电源工作原理进行了详细阐述,分析了恒流特性、恒压特性及开关管的软开关特性,利用Oread Pspice仿真软件进行了仿真验证.同时从功率损耗方面对开关管IGBT的缓冲吸收回路进行了优化设计.通过27 ms将27 μF电容器充电至1.1 kV的实验证明了基于LCL拓扑的谐振变换充电电源具有恒流、控制简单、宽负载应用范围等优点,适用于主储能电容器的高精度、快速充电.