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郑锦华; 刘青云; 李志雄;
郑州大学机械与动力工程学院热能系统节能技术与装备教育部工程研究中心;
河南晶华膜技真空科技有限公司;
DC-PECVD; 负偏压; H-DLC; 多峰拟合; 结合力;
机译:负脉冲高压偏压对电容耦合射频等离子体化学气相沉积法制备类金刚石碳薄膜的影响
机译:射频负偏压对沉积在有机光电导体上的类金刚石硬碳膜的电子照相性能的影响
机译:石墨丝的起源对改善CH 4 inf> / Ar等离子体中负偏压增强的生长超纳米晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响
机译:偏压辅助热解-CVD法低负偏压对掺氮非晶碳薄膜电学性能的影响
机译:碳扩散对边界基油润滑中类金刚石碳的摩擦磨损性能的影响
机译:沉积在纺织品上的类金刚石碳/银纳米复合薄膜的抗菌性能:迈向智能绷带
机译:衬底偏压对W掺入类金刚石薄膜结构和性能的影响
机译:金刚石和类金刚石薄膜的机械性能。
机译:本发明涉及一种掺杂有氮的类金刚石薄膜的制造方法,类金刚石薄膜和具有该类薄膜的场发射显示装置
机译:合成类金刚石薄膜和类金刚石薄膜的方法
机译:正电极薄膜,其制备方法是:通过将负偏压压入正电极,并沉积正电极活性材料,以及所有包含正电极薄膜的固态锂薄膜电池
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