制备发光硅量子晶粒的新方法

摘要

cqvip:本文报道一种能在室温下具有可见光致发光特性的硅(si)量子晶粒的制备方法和光物理特性.利用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)和激光晶化技术相结合,使非晶态Si:H/SiN_x:H多量子阱(MQWs)中的Si晶化而成为量子晶粒.由剖面透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和Raman测量技术研究了这种镶嵌量子材料的微结构.由光致发光的实验结果表明,当硅晶粒尺寸≤40A时,发光峰位移至2.1eV左右,呈现橙色.这与量子限制模型计算的结果相一致.