用于圆筒状零件内表面等离子体浸没离子注入的偏转电场法

摘要

等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）为解决束线离了注入所难以解决的圆筒状零件内表面注入处理问题提供了新要可能途径，但在应用中却受到注入能量和注入剂量偏代的限制，本文针对这一问题了偏转电场法用以提高内表面注入的能量和注入剂量，实验结果表明，采用这一方法可以有效地改善圆筒状零件内表面注入的注入情况，注论述工提高了２５％～１００％，注入剂量提高了７３％～１１３％，注入脉冲宽度的延有利于注入离子向部深入，利于