Si(001)衬底上方形3 C-SiC岛的LPCVD生长

摘要

Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程,采用LPCVD方法在Si(001)衬底上生长出了方形3C-SiC岛,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察了SiC岛的形状、尺寸、密度和界面形貌.结果表明,3C-SiC岛生长所需的Si原子来自反应气源,衬底上的Si原子不发生迁移或外扩散,气相中C原子浓度决定了SiC岛的生长过程.