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庄惠照; 高海永; 薛成山; 王书运; 何建廷; 董志华;
山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;
GaN纳米管; ZnO/Ga2O3薄膜; 射频磁控溅射; 氮化;
机译:氮化时间对氮化Ga2O3 / ZnO薄膜合成的GaN纳米棒形貌的影响
机译:Ga2O3 / ZnO薄膜氨化合成GaN纳米棒
机译:通过退火GaN / ZnO薄膜在Si衬底上自组装GaN纳米棒,纳米粒子和纳米管的生长和性能
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:使用GaN缓冲层在透明导电(2̅01)取向的β-Ga2O3上形成高质量的III氮化物膜
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)
机译:氧化锌(ZnO)基单晶的制造方法,ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,以及ZnO基单晶薄膜和包含该ZnO基单晶薄膜的ZnO基材料
机译:氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
机译:GAN / Al2O3上的透明场效应管外延生长GA2O3薄膜的制造方法及场效应管
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