MoSi2发热元件冷热端扩散接合工艺的研究

摘要

为了研究扩散接合工艺参数对二硅化钼发热元件冷热端的接合强度的影响,对接合端面状态、接合温度、保温时间、接合压力和接合气氛等工艺条件进行了对比分析,并根据接合部位的断裂强度和微观结构的研究结果,建立了在本实验条件下最佳发热元件冷热端扩散接合工艺条件:接合端面粗糙度为1.5 μm,接合温度1570～1600℃,保温时间30～60s,接合载荷15kg,接合气氛为氩气.