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尚林涛; 刘铭; 周朋; 邢伟荣; 沈宝玉;
华北光电技术研究所;
InSb(100); 高铝; InAlSb; 薄膜生长;
机译:使用数字合金的高拉伸应变In_(1-x)Ga_xAs / In_(0.52)(Ga_(0.4)Al_(0.6))_(0.48)As多量子阱的MBE生长和光学性质
机译:Ag〜+和Al〜(3+)取代的效果(Cu_(1-x)Ag_x(In_(1-x)Al_x)S_2氯偶纳米粒子通过水热法合成:微观结构和光学性质的研究
机译:分子束外延生长夹在Al_(0.1)In_(0.9)Sb层之间的InSb和InAs_(0.1)Sb_(0.9)薄膜的传输性质
机译:通过AL_(0.09)在GaAs(001)底物上生长的INSB量子孔中的结构缺陷(0.09)IN_(0.91)SB / GASB-ALSB应变层超晶格/ ALSB / GASB缓冲层
机译:MBE研究超长波长红外光电探测器InAs / Ga(In)Sb和InAsN / Ga(In)Sb超晶格
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:栅极可调谐高迁移率远程掺杂Insb / In_ {1-x} al_ {x} sb量子 良好的异质结构
机译:离子注入和mBE生长的Er掺杂Gaas和al(x)Ga(1-x)as的发光研究。
机译:Al x Sub> Ga 1-x Sub> N晶体的生长方法以及Al x Sub> Ga 1-x Sub> N晶体衬底
机译:Al y Ga 1-y As 1-x Sb中的晶格常数分级。亚合金系统
机译:MBE制备用于异质结生长的InSb基体表面的方法
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