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丁永庆; 彭瑞伍; 陈记安; 杨臣华;
中科院上海冶金所;
华北光电所;
HgCdTe; CdTe/GaAs; 异质材料; MOCVD;
机译:非冷却红外光电探测器HgCdTe异质结构MOCVD生长的研究进展
机译:MOCVD法生长B_xIn_yGa_(1-x-y)As / GaAs和In_yGa_(1-y)As / GaAs QW的结构和光学研究
机译:LP-MOCVD法生长的N〜+ -InGaAs / N-GaAs双掺杂异质结场效应晶体管(DDC-HFET)
机译:在Cdte / Si衬底上生长的Hgcdte的退火和器件表征。
机译:电子束法表征MOCVD InGaP / GaAs结中界面处多余层的化学性质
机译:11.通过MBE法在阶梯状基板上生长的GaAs / AlAs异质结构的光学和电学性质(大阪大学工程科学研究生院物理系,硕士论文/摘要(1989年))
机译:HgCdTe,HgZnTe,相关异质结和HgCdTe-CdTe超晶格的分子束外延生长,表征和电子器件加工。
机译:在CdTe衬底上生长的HgCdTe外延层上生长CdTe外延层的方法
机译:具有CdTe异质结的HgCdTe MIS器件
机译:HgCdTe上cdTe的液相外延生长
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