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张冰; 郭雪凯; 胡从振; 辛有泽; 于善哲; 雷述宇;
西安交通大学微电子学院 陕西 西安710049;
宁波飞芯电子科技有限公司 浙江 宁波315000;
北京大学微纳加工国家重点实验室 北京 100871;
雪崩光电二级管; 增益; 雪崩倍增; 过剩噪声;
机译:通过过量噪声分析确定雪崩光电二极管的穿通增益
机译:InP / InGaAs超晶格雪崩光电二极管的噪声分析
机译:Hg / sub 0.4 / Cd / sub 0.6 / Te 1.55-μm雪崩光电二极管噪声分析,与自旋轨道分离带相关的共振碰撞电离附近
机译:调查过剩噪音的一般结果光电器件及其在改进器件中的应用性能
机译:新型器件架构表征硅盖革模式雪崩光电二极管
机译:CMOS光电接收器IC带有片上雪崩光电二极管用于家庭监控激光雷达传感器
机译:关于具有死区的雪崩光电二极管中过剩噪声的分析公式
机译:低暗电流GaInasp / Inp雪崩光电探测器的雪崩倍增和噪声特性
机译:将光信号转换为电信号的雪崩光电探测器元件,使用该雪崩光电探测器元件的电路以及雪崩光电探测器的使用
机译:用于将光学信号转换为电子信号的雪崩光电探测器元件,雪崩光电探测器的使用以及制造雪崩光电探测器的方法
机译:具有雪崩光电二极管的BiCMOS集成光电检测半导体器件
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