基于MBE替代硅衬底的材料综述

李震; 王亚妮; 王丛; 高达; 周朋; 刘铭

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基于MBE替代硅衬底的材料综述

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主要介绍了几种用MBE技术生长HgCdTe/CdTe的Si衬底的替代性衬底材料的基本参数,以及不同材料的最新生长过程及结果,和对它们的生长结果的比较分析,以此来选择较为适合替代Si衬底来生长HgCdTe/CdTe的衬底.本文通过一系列的对比,得出目前最有发展前景的替代衬底是GaSb衬底,是未来发展的方向.

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来源
《激光与红外》 |2020年第6期|643-650|共8页
作者
李震; 王亚妮; 王丛; 高达; 周朋; 刘铭;
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作者单位

华北光电技术研究所北京 100015;

华北光电技术研究所北京 100015;

华北光电技术研究所北京 100015;

华北光电技术研究所北京 100015;

华北光电技术研究所北京 100015;

华北光电技术研究所北京 100015;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外光学材料;
关键词
MBE; 衬底; CdZnTe; HgCdTe; CdTe;

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