TeGe基相变光盘材料快速晶化研究

摘要

本文用XPS谱等方法分析了加氧后的Te_(90)Ge_(109),Te_(89)Ge_8Sn_6等TeGe基相变光盘材料的快速晶化机理。指出在TeGe基材料中加适量的氧能充分改善晶化速率。