InSb电荷注入成像阵列

摘要

采用InSb MIS技术已成功研制出线列和面阵型自扫描3～5μm红外焦平面器件。本文介绍了InSb MIS结构理论和界面电学特性分析;结构设计和工艺实现途径。介绍了器件性能结果。