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周增圻;
无;
化学束外延; 光电子技术; 化学汽相淀积; 应用;
机译:分子束外延生长的BaSi_2外延膜的湿化学腐蚀和X射线光电子能谱分析
机译:使用化学束外延(CBE)进行光电子设备集成的图案化衬底过度生长
机译:2.电子束控制的进展2.1利用光注入(光电子入射)进行激光电子加速
机译:用于电子设备的化学束外延技术的最新进展
机译:氢化物气相外延生长极性和非极性氮化物半导体准衬底,用于分子束外延开发光电子器件
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:出版商注:“反应分子束外延生长和原位光电子能谱研究iridate超晶格”[aIp advances 7,085307(2017)]
机译:俄亥俄州立大学合作研究与开发协议(CRDa)。分子束外延(mBE)晶体生长和光电子器件表征
机译:用于发射电磁束的光电子器件的壳体以及用于制造发射电磁束的光电子器件的方法以及用于发射电磁束的光电子器件的壳体或具有这种壳体的电磁束发射的器件的壳体
机译:分子束外延系统和减少分子束外延系统中过剩通量的方法
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