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方志烈;
复旦大学;
单量子阱; MOCVD; 绿色LED; 发光二极管;
机译:具有埋入式InGaN / GaN短周期超晶格的单量子阱深绿色LED
机译:使用新型量子阱结构提高基于InGaN的绿色LED的效率
机译:用InGaN / GaN量子阱对内部量子效率的LED结构有源区中镁在LED结构中的影响
机译:低效率下垂绿色纳米金字塔{101̄1} InGaN / GaN多量子阱LED
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:具有单层集成基于InGaN的量子阱的LED的类似于花朵的内部发射分布其发射窄的蓝色绿色和红色光谱
机译:绿色和蓝色InGaN单量子阱发光二极管中电致发光强度的温度和注入电流依赖性
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:具有多个INGAN / GAN量子阱的LED异质结构
机译:理论上分析InGaN / CdZnO量子阱结构的光学性质的方法,该结构可以进行匹配,可以显着改善光学矩阵元素
机译:用InGaN量子阱生产外延结构的方法
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