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杨爱明; 吴长树; 杨宇; 唐利斌;
云南大学化学与材料工程学院,云南,昆明,650091;
昆明物理所,云南,昆明,650223;
热壁外延; 大面积; 硅衬底; 碲镉薄膜; 结构; 表面形貌;
机译:HgCdTe在大面积Si和CdZnTe衬底上的分子束外延生长
机译:HgCdTe在大面积Si和CdZnTe晶片上的MBE生长用于SWIR,MWIR和LWIR检测
机译:直接MBE CDZNTE在Si(100)和Si(112)基板上的CDZNTE的生长,用于大面积HGCDTE IRFPAS
机译:在Cdte / Si衬底上生长的Hgcdte的退火和器件表征。
机译:CdTe和CdZnTe X射线和γ射线探测器上自然氧化物生长的动力学
机译:电沉积碲化镉薄膜的生长和微观结构对n-CdS / p-CdTe薄膜太阳能电池性能的影响
机译:分子束外延生长HgCdTe外延层在CdTe,CdZnTe和Gaas衬底上的可行性和成本评估。
机译:从CdZnTe衬底上剥离CdZnTe层以生长HgCdTe的方法
机译:高能效,大衬底,通过分子束外延以高沉积速率生长的多晶CdTe薄膜多晶CdTe薄膜半导体光伏电池结构,用于太阳能发电
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