HgCdTe焦平面探测阵列干法技术的刻蚀速率研究

摘要

首次报道了HgCdTe焦平面探测器微台面列阵成形工艺的干法技术有关刻蚀速率的一些研究结果.从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的RIE(ReactiveIon Etching)设备、刻蚀原理以及刻蚀速率的影响因素.采用ICP(Inductively Coupled Plasma)增强型RIE技术,研究了一种标准刻蚀条件的微负载效应(etch lag)对刻蚀速率的影响,以及刻蚀非线性问题,并获得刻蚀速率随时间的关系.