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游达; 王庆学; 汤英文; 龚海梅;
传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083;
AlGaN; 倒易空间图; 应变; PV函数;
机译:AlGaN势垒层应变松弛对高Al含量AlGaN / GaN HEMT性能的影响
机译:通过分子束外延在(1120)非极性平面上生长的高Al含量高的AlGaN中异常低Ga掺入
机译:掺Si的AlGaN外延层的面内应变与光偏振之间的相关性与Al含量和Si浓度的关系
机译:Al含量高的多个AlGaN外延层的应变状态和位错密度的研究
机译:利用分子束外延研究低位错密度氮化镓薄膜的离子束辅助沉积。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:高Al含量的AlGaN基量子结构的设计,外延及其在紫外LED中的应用
机译:用于深紫外激光应用的高al含量alGaN合金。
机译:氮化铝过渡层,用于降低AlGaN外延膜的位错密度和破裂
机译:具有高Al含量AlGaN扩散势垒的III族氮化物电子器件结构
机译:具有螺纹位错密度控制的图案化应变弛豫SiGe外延的制造方法
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