采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜

徐庆庆; 陈新强; 魏彦锋; 曹妩媚; 赵守仁; 杨建荣

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文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别.

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来源
《激光与红外》 |2005年第11期|842-844|共3页
作者
徐庆庆; 陈新强; 魏彦锋; 曹妩媚; 赵守仁; 杨建荣;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;TN304.2+5;
关键词
CdZnTe衬底; HgCdTe薄膜材料; 液相外延;

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