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郭靖; 叶振华; 胡晓宁; 汤丁亮; 王水菊;
上海技术物理研究所,上海,200083;
厦门大学分析测试中心,福建,厦门,361005;
刻蚀; HgCdTe; 光电子光谱学; 扫描电镜;
机译:多重掩膜技术抑制ICP刻蚀的HgCdTe沟槽损伤的研究
机译:等离子刻蚀(211)B HgCdTe的表面结构
机译:各向异性刻蚀的硅表面和Si / HgCdTe异质结构的电学性质
机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)和Ⅲ-Ⅴ材料的原子层刻蚀(ALE)进行低损伤刻蚀,以实现下一代器件性能。
机译:有机材料等离子体刻蚀的刻蚀轮廓控制与表面反应研究
机译:双酸刻蚀与化学修饰的亲水性双酸刻蚀植入物表面的界面生物力学特性:在Beagles中进行的实验研究
机译:通过ICP-RIE氧化和湿法刻蚀可控制刻蚀速率的AlGaN / GaN的精密凹槽
机译:电感耦合等离子体(ICp)干蚀刻中三氯化硼/氯气体分子外延生长p型氮化铝镓的刻蚀特性及表面分析
机译:HgCdTe衬底的刻蚀方法
机译:通过表面分析方法,尤其是XPS分析水纯度
机译:具有改进的微区防护性能的微区补丁和包括相同微区补丁和施加器的微区补丁涂药器系统
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