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赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅;
中国科学院半导体研究所,北京,100083;
同济大学电信学院半导体与信息技术研究所,上海,200092;
中国科学院上海技术物理所,上海,200083;
AlGaN; MOCVD; 材料生长; 寄生反应;
机译:使用GaN / AlN超晶格作为MOCVD生长的阻挡层的AlGaN / GaN异质结构中2DEG特性的研究
机译:通过MOCVD研究在蓝宝石衬底上生长具有不同AlGaN缓冲层的AlInN HEMT结构
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r面蓝宝石衬底上进行a面GaN膜的MOCVD生长的比较研究
机译:MOCVD生长和表征极性,半极性和非极性AlgaN基材料,用于制造UV-LED
机译:MOCVD生长的氮化铝铟的综合材料研究和紫外二极管激光器的松弛模板的开发
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:用于LED制造的GaN,AlGaN和AlN层的生长:使用“热壁” MOCVD系统的生长条件研究
机译:alGaN UV LED的mOCVD生长
机译:MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长单晶藻类层的研究。
机译:AlGaN单层或MBE生长的AlGaN多层结构
机译:MBE生长AlgaN层或AlGaN多层结构
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