(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究

俞波; 李建军; 盖红星; 牛南辉; 邢艳辉; 邓军; 韩军; 廉鹏; 沈光地

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对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlxGa1-x)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究.使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响.根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度.为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础.

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来源
《激光与红外》 |2005年第3期|181-183|共3页
作者
俞波; 李建军; 盖红星; 牛南辉; 邢艳辉; 邓军; 韩军; 廉鹏; 沈光地;
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作者单位

北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;

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北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;

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正文语种 chi
中图分类激光材料及工作物质;
关键词
金属有机化合物汽相淀积; AlGaInP; GaInP;

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