Cd掺杂扩散诱发InSb晶体缺陷的X光研究

刘豫东; 杜红燕; 张刚; 董硕; 马莒生

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Cd掺杂扩散诱发InSb晶体缺陷的X光研究

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文章采用了双晶衍射和同步辐射X射线貌相实验手段,对扩散掺杂Cd前后InSb单晶中位错密度的变化进行了对比分析.研究证实了扩散会导致InSb位错密度增加,导致双晶衍射的半高宽增加.较低的半高宽数值对应的X射线貌相中未观察到位错线,只有具有较高的半高宽数值的InSb单晶的X射线貌相上才显示了位错线.本文认为酸蚀可以有效去除InSb浅表面的高缺陷层.

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来源
《激光与红外》 |2005年第3期|177-180|共4页
作者
刘豫东; 杜红燕; 张刚; 董硕; 马莒生;
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作者单位

清华大学材料系,北京,100084;

华北光电研究所,北京,100015;

华北光电研究所,北京,100015;

华北光电研究所,北京,100015;

清华大学材料系,北京,100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
InSb; Cd掺杂; 位错密度; 半高宽; X光貌相;

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